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1200℃ 4溫區(qū)坩堝可移動(dòng)型管式爐
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4溫區(qū)、坩堝可移動(dòng)
型號(hào)：
OTF-1200X-IV-HPCVD
產(chǎn)品概述：
OTF-1200X- IV -HPCVD是一款坩堝可在爐管內(nèi)移動(dòng)（靠步進(jìn)電機(jī)控制）的4溫區(qū)管式爐，所有電器元件都通過了UL / MET / CSA認(rèn)證。爐管外徑為50mm,設(shè)備最高工作溫度為1200℃，每個(gè)溫區(qū)長度為100mmL, 每個(gè)溫區(qū)由獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，都可設(shè)置50段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。通過觸摸屏數(shù)字控制器控制樣品臺(tái)或坩堝在爐管內(nèi)的位置和溫度。此設(shè)備可進(jìn)行快速熱處理，例如混合物理化學(xué)沉積（HPCVD），快
速熱蒸發(fā)（RTE），以及在各種氣氛下進(jìn)行的水平布里奇曼晶體生長（HDC），用于新一代晶體研究。
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設(shè)備名稱

1200℃ 4溫區(qū)坩堝可移動(dòng)型管式爐-OTF-1200X-IV-HPCVD
產(chǎn)品提示

1.多種配件可選提示  2.科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/strong>  3.配件妥善保管提示
主要特點(diǎn)

·爐子配備步進(jìn)電機(jī)，通過觸摸屏數(shù)字控制器使樣品臺(tái)或坩堝在爐管內(nèi)移動(dòng)。

·最高溫度可達(dá)1200℃。

·雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，可有效降低殼體表面溫度。

·內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時(shí)也可以延長儀器的使用壽命。
基本參數(shù)

·最高溫度: 1200℃（≤30min）工作溫度: 1100℃

·推薦升溫速率:≤10℃/min

·加熱區(qū)長度：總長度400mm,四個(gè)加熱區(qū)，每個(gè)加熱區(qū)長度100mm

·加熱元件：摻鉬鐵鉻鋁合金

·電壓：220V

·最大功率為：3.5KW

·通過機(jī)械泵可達(dá)到75mTorr
真空密封

·高純石英管50mm外徑x44mm內(nèi)徑x 680mm長

·采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭，硅膠密封圈密封

·法蘭上安裝有一個(gè)機(jī)械壓力表

·右端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接
PLC控制

·一個(gè)直徑為1/4＂的鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動(dòng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的實(shí)際溫度。

·通過步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺(tái)），最大行程為400mm(1#溫區(qū)至4#溫區(qū)距離）。

·通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置，坩堝移動(dòng)速度為1-180mm/min

·在熱電偶上安裝了一個(gè)微型石英坩堝舟。

圖片16.png  
溫控系統(tǒng)

·采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置50段升降溫程序

·溫控儀表中帶有過熱和斷偶保護(hù)

·儀表控溫精度: +/- 1°C

·熱電偶型號(hào)：K型
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