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三溫區(qū)1500℃ PECVD系統(tǒng)
型號:
OTF-1500X-III-4CV-PE-SL
產品概述:
OTF-1500X-III-4CV-PE-SL是一款三溫區(qū)1500℃的PECVD管式爐系統(tǒng),該設備由射頻電源、1500℃三溫區(qū)管式爐、多通道質子混氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。此款PECVD系統(tǒng)可廣泛應用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料領域。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱

三溫區(qū)1500℃ PECVD系統(tǒng)—OTF-1500X-III-4CV-PE-SL (2019.11.14-科晶實驗室審核)

產品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設備尺寸設備   3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/strong>  4、配件妥善保管提示


產品特點

? 帶有石英觀察窗口的不銹鋼真空密封法蘭,便于觀察等離子發(fā)光(圖1);

? 射頻電源可實現等離子增強,從而顯著降低實驗溫度;

? 四通道質子流量計控制系統(tǒng)可以對氣體的輸送進行精確的調控; 

? 此款設備可安裝控制模塊,將溫度設置和溫度曲線導入到電腦(圖2、3);

? 此款設備可選配控溫精度為±0.1℃的歐陸儀表(圖4)。


產品特點圖1.JPG  產品特點圖2.jpg       產品特點圖3.PNG       圖片1.png



基本參數

? 最高工作溫度1500℃(<30min);連續(xù)使用溫度1400℃;

? 三個PID溫度控制器及50段可編程溫控系統(tǒng),控溫精度:±1℃,帶有超溫和斷偶保護;

? 輸入電源: 208-240V,AC,單相;最大功率:6.6 KW;

? 內爐膛表面涂有美國進口的1760度高溫氧化鋁涂層,可以提高設備加熱效率及反射率,同時延長儀器的使用壽命。(點擊圖片查看詳細資料)

? 注意:此設備不標配爐管。購買前請與我們銷售確定爐管相關事宜。


圖片1.png      圖片2.png



更多參數請聯系科晶銷售部

射頻電源

? 科晶公司現有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。


 

300W射頻電源

500W射頻電源

100W射頻電源

輸出功率

0-300W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

0-500W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

0-100W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

射頻頻率

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

匹配

自動匹配

自動匹配

手動匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷卻方式

風冷

風冷

風冷

輸入電壓

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

圖片

300W射頻電源.jpg

500W射頻電源.jpg

100W射頻電源.png



真空系統(tǒng)

? 采用TRP-12的雙旋真空泵;

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵;

? 真空度可達10-2Torr。

低真空系統(tǒng).png


供氣系統(tǒng)

? 四通道質子流量計控制系統(tǒng)可實現氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%);

? 流量范圍:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz;

? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管;

? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出;

? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設置。


四通道質子圖1.jpg  四路質子圖2.png


產品尺寸和重量

? 爐體尺寸:550mm L ′380mm W′520mm H

? 爐體下端移動柜:1800mm L′600mm W′600mm H

? 凈重:100 kg

? 運輸重量:550 kg

認證

? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證


圖片5.jpg


承諾

? 一年質保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件)

科晶應用技術實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結果如下:


圖片6.jpg



組別

SEM結果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

未經任何處理的樣品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W等離子體處理

5 min

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

150W等離子體處理

5 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

300 W等離子體處理

5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14


小結:

(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;

(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。




組別

SEM結果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3

9.jpg

10.jpg

40.01

59.99

75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3

11.jpg

12.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3

13.jpg

14.jpg

43.13

56.87

75W、3Pa且補充0.02g SnSe2粉末(10%質量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3

15.jpg

16.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44


小結:

(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;

(4)當SnSe2質量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于1的薄膜,該方法適用于摻雜。



XRD結果


圖片23.jpg


pecvd.png



警示

? 爐管內氣壓不可高于0.02 MPa;

? 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全;

? 注意爐管的長期使用溫度;

? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態(tài),爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)。

應用技術提示

? 通入爐內氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊;

? 加熱時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂、法蘭飛出等)。


防腐型真空表(可選)

? 輸入電源24V,1A  DC(配有電壓轉換器);

? 測量范圍3.8′10-5-1125 Torr;

? 數據顯示:數顯(屏幕尺寸為20′14mm),其單位為torr

? 連接:1/8"NPT 接頭

? 產品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)


配件真空表.jpg

控溫儀表(可選)

? 單回路、雙回路和三回路控制模式;

? 每個回路可實現雙輸入,雙保護;

? 各回路可PID、串級、比率等回路控制;

? 數碼顯示,配備7個按鍵,可用于進行各控制回路的切換和參數修改;

? 最多可存儲50個程序,每個程序最多可有3個不同的設定值(即3條不同的曲線),最多可設置500段升降溫程序;

? 通訊方式多樣,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口,可連接PC進行遠程控制。

圖片24.jpg

真空系統(tǒng)(可選)

? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進口高真空設備,以滿足在不同真空條件下的實驗需求。


低真空系統(tǒng)

國產高真空系統(tǒng)

進口高真空系統(tǒng)

低真空系統(tǒng).png

高真空.jpg

進口高真空.png

供氣系統(tǒng)(可選)

? 科晶公司提供各種通道浮子、質子流量計可供選擇,以實現氣體流量的精確控制。


單通道浮子

單通道質子

兩通道浮子

兩通道質子

多通道浮子(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道質子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道質子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


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