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GaN晶體
- 產品概述：
- 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體,由于具有化學穩(wěn)定性好、熱傳導性能優(yōu)良、擊穿電壓高、大功率，近年在光電子領域和高溫高頻電子應用備受關注，是目前最優(yōu)秀的半導體材料。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
氮化鎵(GaN)晶體基片 |
| 技術參數(shù)
|
晶體結構： | 六方晶系 | | 晶格常數(shù) | a= 3.186 ? , c = 5.186 ? | 傳導類型： | N型摻Si；N型不摻雜 | 可用表面積： | >90% | 位錯密度： | （5-9）x105Ω.cm | 電阻率： | R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm | | 介電常數(shù)： | 8.9 | TTV： | ≤15um | | 密度 | 6.15（g/cm3） | 生長方法： | HVPE（氫化物氣相外延法） |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | (0001) | 常規(guī)尺寸： |
10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | 表面粗糙度： | <5? | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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