- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發(fā)設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
Ga摻ZnO
- 產品概述：
- 新一代寬禁帶，直接帶隙的多功能 II-V 族半導體材料，具有優(yōu)秀的光電、壓電、氣敏、壓敏等特性
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
Ga摻ZnO |
| 技術參數(shù)
|
晶體結構： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a= 3.252 ? , c = 5.313 ? | 熔點： | 1975℃ | 硬度： | 4 Mohs | 密度： | ~5.7 g/cm3 | 帶隙： | 3.37eV | | 介電常數(shù) | 8.5 | 比熱容： | 0.125 cal/gm | 導電性： | N type | 導熱系數(shù)： | 0.006 cal/cm/ oK | 熱膨脹系數(shù)： | 2.90 x 10-6/oK | 位錯密度： | < 4 x 104 /cm2 | | 電子濃度： | ~1018 ~1019cm-3 | | 電阻率: | ~10-3 Ohm*cm | | 電子遷移率: | ~80 cm2V-1s-1 | | 透射譜： |  |
|
| 產品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | (0001) | 尺寸： | 10mm×10mm,15mm×15mm | | 厚度： | 1.0 mm，0.5 mm | 表面粗糙度： | <5A | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
