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ZnS 晶體基片
產品概述：
II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。
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產品名稱

ZnS 晶體基片
技術參數(shù)

晶體結構：                     

立方晶系                               

晶格常數(shù)：

5.41?  

密度：

4.08 g/cm3

熔點：

1850 ℃

熱容：

0.469 J/g·k

熱膨脹系數(shù)(10-6/K)：

6.8

折射率：

2.34

透過波長：

2~12 um

熱導率：

16 W/(m.k)  at300K

生長方式：

布里奇曼法
產品規(guī)格

常規(guī)晶向：                

<110>、<111>

常規(guī)尺寸：

10x10x1.0mm、5x5x1.0mm                    

拋光情況：

單拋、雙拋

表面粗糙度：

<5A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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